紅外探測器材料技術發展

  紅外探測器材料技術是紅外技術發展的核心和基礎 。近年來 ，隨著固態技術的發展和半導體材料提純和生長工藝的進步 ，紅外探測器材料技術有了巨大的進展 。
  這其中 ，多色 、矽或鍺襯底碲鎘汞異質外延薄膜材料技術易於實現大尺寸 、低成本 ，能提高探測器識別目標的能力 ，增加其抗幹擾能力與帶寬 ，是第三代紅外探測器發展的關鍵材料之一 ，代表了紅外探測器材料技術發展的重要方向 。
  量子阱紅外探測器材料近年來發展迅速 ，長波陣列的性能已與碲鎘汞陣列的性能相當 。它具有獨特的結構特點 ，更易於實現大規格和多色探測能力 ，也是紅外探測器材料技術的一個重要發展方向 。
   非製冷紅外探測器材料具有低成本 、低功耗 、高可靠性等優勢 ，能滿足第三代紅外探測器的高工作溫度要求 ，是未來小型低成本熱像儀的主流材料 ，未來的發展方向是繼續縮小像素尺寸 ，改善溫度靈敏度和空間分辨力 ，縮短響應時間和降低成本 。