在制备热释电薄膜红外探测器的过程中存在的问题是：

  1
、如何使薄膜制备工艺和半导体工艺兼容
，以期制备高性能的单片式非制冷红外焦平面器件；

  2、如何设计探测器结构

，使探测器有较大的响应特性，采用复合热释电薄膜可以同时很好地解决这两个问题。复合热释电薄膜的结构如下图所示：

  在这种结构中，绝热膜采用多孔SiO2薄膜，它具有孔率高

、热导率小等特点
，可以很好地解决热散失问题
，从而可以大幅度地提高探测器的响应特性
。也就是说
，复合薄膜结构从解决热散失方面

，较好地解决了前面提到的第2个问题。利用致密的SiO2薄膜作为缓冲层，称为过渡膜，它的主要作用是为制备热释电薄膜提供平整的基底。

  在此结构中：多孔SiO2绝热薄膜、致密SiO2过渡薄膜均采用传统的溶胶-凝胶工艺制备；热释电薄膜采用MOD方法制备
；上、下  电极以及吸收层的制备均采用直流溅射获得。这些制备工艺完全与传统的半导体工艺兼容，解决了薄膜制备工艺和半导体工艺的兼容性问题
。进一步，采用合理的工艺和工序，就可以制备单片式符合热释电薄膜焦平面红外探测器。