製冷型紅外探測器一般是指利用半導體材料的光子效應製成的探測器 ，在探測器吸收光子後 ，本身發生電子狀態的改變 ，從而引起光伏或光電導等現象 。
製冷型紅外探測器係統如碲鎘汞探測器（工作在8-14μm波段）和銻化錮探測器（工作在3-5μm波段）的靈敏度 、響應速度 、探測距離等性能都比較高 ，但都必須用低溫製冷器進行製冷 ，而且紅外成像係統幾乎都要使用機械掃描裝置 ，因而整個紅外成像係統顯得結構複雜並且成本很高 。
而且 ，部分高性能的光子型紅外探測器很難實現矽基單片式結構 ，需要通過混合集成方式將探測器與讀出電路相連 。