红外探测器材料技术是红外技术发展的核心和基础。几年来，随着固态技术的发展和半导体材料提纯和生长工艺的进步，红外探测器材料技术有了巨大的进展。

  这其中，多色、硅或锗衬底碲镉汞异质外延薄膜材料技术易于实现大尺寸

、低成本，能提高探测器识别目标的能力，增加其抗干扰能力与带宽

，是第三代红外探测器发展的关键材料之一，代表了红外探测器材料技术发展的重要方向
。

  量子阱红外探测器材料近年来发展迅速
，长波阵列的性能已于碲镉汞阵列的性能相当。它具有独特的结构特点

，更易于实现大规格和多色探测能力，也是红外探测器材料技术的一个重要发展方向。

  非制冷红外探测器材料具有低成本、低功耗
、高可靠性等优势
，能满足第三代红外探测器的高工作温度要求
，是为了小型低成本热像仪的主流材料，未来的发展方向是继续缩小像素尺寸
，改善温度灵敏度和空间分辨力，缩短响应时间和降低成本。