迄今為止 ，在紅外領域人們研究了不同材料 ，並用於紅外探測器製備 。下圖1展示了紅外探測器發展的主要曆程 ，隨著材料生長技術 、半導體工藝技術及MEMS技術發展 ，紅外探測器向小尺寸 、高性能 、低功耗 、百千萬像素 、多色熔合 、自適應功能等方向發展 。
第二代焦平麵探測器組件實現了凝視型像素水平（如320×256 、640×512規格） ，第三代焦平麵探測器組件則達到了百萬像素水平 ，實現了雙色探測器 ，同時讀出電路提供了更多功能 。
下一代紅外探測器在保證性能的前提下 ，向小尺寸（如超越衍射極限） 、高溫工作（HOT）等方向進行。通過減低像元尺寸 ，可降低成本 ，同時提高探測器的空間分辨率 。實現高溫工作則可極大降低製冷要求 ，降低功耗，減低成本 ，實現真正意義上的小型化 。
另外 ，多譜段探測的市場需求也越來越大 ，尤其是軍事需求 。對同一場景進行多譜段同時探測 ，可以有效增強目標分辨和識別 ，降低報錯率 ，降低目標丟失率等情況 。
為了實現小尺寸 、高溫工作 ，人們提出了多種解決方案 ，其中比較成功的有勢壘型結構 ，光子陷阱結構 ，超晶格結構 。