紅外探測器廠家介紹到由於HgCdTe材料性質優異 ，HgCdTe係列的探測器仍將主導高性能紅外探測器領域 。盡管量子阱 、二類超晶格得到了迅猛發展 ，即使應用nBn技術降低其暗電流 ，仍不能撼動HgCdTe的絕對地位 。
但在長波和甚長波紅外領域 ，由於HgCdTe組分不均勻性更加嚴重 ，HgCdTe材料也許不是最優的選擇 ，而隨著InAs/GaInSb二類超晶格製備技術逐步成熟 ，性能可與HgCdTe相比擬 ，將會是該領域的一個不錯選擇 。
隨著光電材料科學的進步 ，元材料和納米結構逐步實用化 ，為紅外光子耦合提供了新的設計思路 ，如光子晶體 。通過提高入射光子的量子效率進而增強紅外探測器的性能 。
同事 ，由於市場驅動 ，人們把精力投放到了高溫工作探測器研製方麵 。提出許多新的設計思路並進行一定程度的驗證 ，包括勢壘探測器 ，單極勢壘探測器 ，光子陷阱探測器 。這些新結構探測器的性能目前雖然仍不能與常規製冷型HgCdTe探測器相比擬 ，但展現出了其巨大的潛力 。尤其nBn型探測器基本笑出了產生複合效應和隧道電流 ，性能接近常規製冷型HgCdTe探測器 。未來如果把消除了價帶能帶偏移 ，nBn型探測器將會獲得更高的工作溫度 。